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W9725G6IB
9.4
ODT DC Electrical Characteristics
(0 ℃ ≤ T CASE ≤ 85 ℃ for -25/-3, V DD , V DDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER/CONDITION
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=0,1; 75 ?
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,0; 150 ?
Rtt effective impedance value for EMRS(A6,A2)=1,1; 50 ?
Deviation of V M with respect to V DDQ /2
SYM.
Rtt1(eff)
Rtt2(eff)
Rtt3(eff)
Δ V M
MIN.
60
120
40
-6
NOM.
75
150
50
MAX.
90
180
60
+6
UNIT
Ω
Ω
Ω
%
NOTES
1
1
1, 2
1
Notes:
1. Test condition for Rtt measurements.
2. Optional for DDR2-667, mandatory for DDR2-800.
Measurement Definition for Rtt(eff):
Apply V IH (ac) and V IL (ac) to test pin separately, then measure current I(V IH
(ac) )
and I(V IL
(ac) )
respectively. V IH (ac) , V IL (ac) , and V DDQ values defined in SSTL_18.
Rtt(eff) = (V IH(ac) – V IL(ac) ) /(I(V IHac) – I(V ILac) )
Measurement Definition for Δ V M :
Measure voltage (V M ) at test pin (midpoint) with no load.
Δ V M = ((2 x V m / V DDQ ) – 1) x 100%
9.5
Input DC Logic Level
(0 ℃ ≤ T CASE ≤ 85 ℃ for -25/-3, V DD , V DDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
DC input logic HIGH
DC input logic LOW
SYM.
V IH(dc)
V IL(dc)
MIN.
V REF + 0.125
-0.3
MAX.
V DDQ + 0.3
V REF - 0.125
UNIT
V
V
9.6
Input AC Logic Level
(0 ℃ ≤ T CASE ≤ 85 ℃ for -25/-3, V DD , V DDQ = 1.8V ± 0.1V)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
AC input logic HIGH
V IH(ac)
V REF + 0.200
V DDQ + V PEAK
1
V
AC input logic LOW
V IL(ac)
V SSQ – V PEAK
1
V REF - 0.200
V
Note:
1. Refer to the page 64 sections 9.14.1 and 9.14.2 AC Overshoot/Undershoot specification table for V PEAK value: maximum
peak amplitude allowed for Overshoot/Undershoot.
Publication Release Date: Oct. 23, 2009
- 38 -
Revision A04
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